Kaj jeFET Latch – up ?

FET jekratica za tranzistorje na poljski pojav , tip elektronsko napravo , ki nadzira pretok električnega toka skozi vezje . Najenostavnejša vrsta FET jenapetostno krmiljeni upor , pri kateriupor jebar silicija . Izraz FET zapah -up nanaša na destruktivno , visoko – tok stanje, ki ga lahko sproži določene električne pogoji , ki delujejo na sestavin FET . FET zapah -up običajno onemogoča normalno krmilno vezje . Semiconductor

FET je sestavljena iz dveh tipov polprevodniškega kristala – materialov , ki prevaja elektriko, vendar zelo slabo – znan kot n – tipa in p – tipa. Dva priključka , ali elektrode , znane kot odtok in vira , ki je povezan z N-tip materiala , medtem ko je tretji terminal , znan kot vrata , povezan s p – tipa materiala . Tok, ki teče med izvorom in ponorom se nadzira z električnim poljem z napetostjo med virom in vrat ustvarili.
Vzrok pojavi

FET zapah -up ko so štiri izmenično n -tip in regije p -tip prinesel blizu skupaj , tako da se učinkovito oblikovanje dveh bipolarnih tranzistorjev – tranzistorji , ki uporabljajo pozitivne in negativne nosilcev naboja – znan kot NPN ali PNP tranzistorjev . Električni tok nameščen na osnovi prvega tranzistorja ojačeno in spustimo v drug tranzistor . Čeizhodni tok obeh tranzistorjev večja kotvhodni tok – ali z drugimi besedami ,sedanji ” dobiček ” je večja od 1 -tok skozi oba poveča
< br . > Vplivi

FET zapah -up povzroča prekomerno razpršitev moči in napačne logike na prizadetem vrata ali vrata. Pretirane izgube moči proizvaja prekomerno toploto, ki lahko uniči FET povsem v ekstreme primerih. FET zapah -up je zato zelo nezaželena in njihovo preprečevanje je postalopomembno vprašanje oblikovanja, zlasti v sodobnih tranzistorjev . Sodobni tranzistorji so se zmanjšale za velikosti kot majhne kot 59 mikro cm ali 59/1000000 palca , v prizadevanjih za povečanje gostote vezje in izboljšali splošno učinkovitost .
Preprečevanje
< p >FET , kar je znano kot naprava za večino nosilcem. Z drugimi besedami , tok poteka po vrstah večine nosilnih – bodisi negativno nabiti delci , ki jih imenujemo elektroni ali pozitivno nabite prevozniki , imenovane luknje – odvisno od natančne zasnove FET . FET zapah -up se lahko prepreči z n- tipa in p- tipa gradivo s strukturo FET . Ločitev se pogosto lahko dosegli z jedkanjem globok, ozek jarek napolnjen z izolacijskim materialom med n – tip in p- tipa materialov .